بطور کلی موضوع اصلی این پایان‏نامه، آنالیز و طراحی تقویت‏کننده‏های کم نویز خطی می‏باشد. برای این منظور در ابتدا به اصلاح رفتار غیرخطی یک نمونه تقویت‏کننده‏ کم نویز پرداخته‏شده است بدین ترتیب که با اصلاح ساختاری در آن پارامتر نقطه برخورد ورودی (iip3 ) به اندازه 37db افزایش پیدا کرده و به مقدار +3dbm می‏رسد. البته این میزان خطسانی باعث کاهش گین مدار از 32db به حدود 22db ، افزایش 0.25db عدد نویز و...

در این طراحی توان مصرفی برابر p_dis=774?w، عددنویز معادل nf=0.93db، پارامتر های پراکندگی برابراند با s_11=-28.6db ، s_22=-17.6db ، s_21=28.2db و s_12=-64.6db ، بهره ولتاژ در خروجی معادل a_v=22.2db است و معیار خطینگی مدارiip_3=-12dbm و عدد شایستگی بدست آمده معادل fom=520?mw?^(-1) است.

در این پایان نامه یک تقویت کننده کم نویز در گستره ی فرکانسی 4 تا 12 گیگاهرتز با استفاده از تکنولوژی سی ماسmµ 18/0طراحی و در نرم افزار ads شده است. تقویت کننده ی ارائه شده از ساختار استفاده مجدد از جریان پیروی می کند، تا مصرف توان حداقل شود. هم چنین اثر چگالی جریان بر روی نویز و فرکانس قطع ترانزیستور بررسی شده است و سعی شده تا چگالی جریان بهینه برای طراحی تقویت کننده کم نویز انتخاب شود. چند روش...

کلمات کلیدی: گیرنده رادیویی، تقویت کننده کم نویز، cmos، پارامترهای پراکندگی، چنداستانداردی. در این پایان نامه یک مدار lna با قابلیت پیکربندی مجدد برای استانداردهای بی سیم طراحی شده است. برای طراحی این مدار یک طیف فرکانسی 4 الی 6 گیگاهرتز در نظر گرفته شده است و یک تقویت کننده با قابلیت پیکربندی مجدد برای این طیف فرکانسی طراحی شده است. این طیف فرکانسی، استانداردهایی مانند wlan، lan ، bluetooth و...

در این پژوهش طراحی و شبیه سازی تقویت کننده کم نویز پهن باند که به عنوان اولین و مهم ترین بلوک در مدارات گیرنده مورد ساتفاده قرار میگیرند مورد بررسی قرار گرفته است.

در سالهای اخیر ، رشد و توسعه تجهیزات مخابرات سیار و سیستم های قابل حمل سبب شده محققان و طراحان rf بر روی مدارات با ولتاژ و توان مصرفی کم تمرکز بیشتری داشته باشند . امروزه اکثر سیستم ها به صورت بیسیم می باشند و کاهش توان مصرفی امری ضروریست که سبب افزایش طول عمر باطری می شود . یکی از مهمترین بخش های گیرنده تقویت کننده کم نویز است که به عنوان اولین طبقه هر گیرنده محسوب می شود . مهمترین ویژگی lna ع...

در این پایان نامه، یک تکنیک جدید خطی سازی در تقویت کننده های کم نویز فرکانس بالا ارائه شده است. در فرکانس های موج میلی متری به دلیل کاهش گین ذاتی ترانزیستور ها برای تامین بهره ی مناسب تقویت کننده از ساختار های چند طبقه استفاده می شود که این امر علاوه بر افزایش توان مصرفی، میزان خطسانی بلوک طراحی شده را نیز کاهش می دهد. بیشتر تکنیک های خطی سازی فرکانس پایین در این باند، مشخصات اولیه ی تقویت کنند...

در سال های اخیر تکنولوژی های مخابراتی پیشرفت بسیار زیادی داشته است، رشد فوق العاده صنعت بی سیم، دسترسی جهانی به اینترنت و افزایش تقاضای انتقال اطلاعات با سرعت بالا، برداشتن گام های بزرگ در زمینه تکنولوژی های مخابراتی را ضرورتی اجتناب ناپذیر می نماید. یک گیرنده مخابراتی به عنوان یکی از ارکان سیستم های مخابراتی سیگنالی در حدود نانو ولت را دریافت می کند، بنابراین تقویت کننده کم نویز به عنوان دومین...

سیستم های فراپهن باند با قابلیت انتقال داده با سرعت بالاتر و مصرف توان کمتر، توجه زیادی را به خود جلب نموده اند. تقویت کننده کم نویز یک بلوک حساس در گیرنده های فراپهن باند می باشد که باید مشخصات دقیق زیادی را نظیر امپدانس ورودی پهن باند، بهره کافی، عدد نویز پایین، مصرف توان کم و مساحت تراشه کوچک فراهم آورد. برای تقویت کننده کم نویز مسئله تأمین بهره کافی و ایجاد نویز کم اهمیت ویژه ای می یابد، چو...

تحقیق حاضربه طراحی وتحلیل ساختاریک ترانزیستور algan/gan-hemtباطول گیت um25/. وهمچنین استفاده ازاین افزاره برای طراحی یک تقویت کننده کم نویزباندباریک درفرکانس ghz10می پردازد.دراین راستا ابتداافزاره موردنظررادرنرم افزارسیلواکو طراحی وپس ازانجام شبیه سازی مشخصه های الکتریکی وهم چنین مشخصه های نویزمایکروویوآن رابررسی می نماییم.عملکردنویزافزاره موردنظرازفرکانس ghz1تاghz20ودروضعیت بایاس های مختلف شبی...